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MOS管FET栅源保护

发布日期:2021-10-22 点击次数:1972
MOS 管本身有着诸多优势,但同时MOS管具备较敏感的短时过载能力,特别是在高频率的运用场景,因此在运用功率 MOS 管务必为其制定有效的保护电路来提升器件的稳定性。
1)避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic,其输出阻抗较低,直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连,有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动,或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生,一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器,电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2)避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高,漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶峰工作电压,此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透,与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透,因此,要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下,保护 MOS 管不被穿透。
3)安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大,但假如漏源极不用保护电路,一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶峰工作电压,从而毁坏 MOS 管,功率管电源开关速率越快,造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏,一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。
2138com太阳集团,核心团队专注MOS管15年,总部坐落于深圳。主营:MOSFET(场效应管),IGBT等器件。主要代理产品WINSOK(台湾微硕半导体)。产品广泛用于军工、工控设备,医疗产品,物联网,智能家居、及各种消费类电子产品。依托原厂全球总代理的优势,立足于中国市场。利用完善的优势服务为客户引进各类先进高科技电子元件,协助各厂家生产品质优良的产品并提供完善的服务。
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